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| FET 類型 | N 通道 |
|---|---|
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 200V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） | 18A（Tc） |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） | 180 毫歐 @ 11A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） | 1300pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 供應商器件封裝 | TO-220AB |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
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